Ottimizzati per rispondere alle tue esigenze
Man mano che i progettisti spingono oltre i limiti delle prestazioni delle applicazioni, diventa sempre più importante capire come verranno utilizzati i MOSFET in tali applicazioni. In passato, un interruttore di potenza standard con una determinata cifra di merito (FoM, Figure of Merit) poteva in linea di principio funzionare in qualsiasi applicazione. Tuttavia, per soddisfare al meglio funzionalità o requisiti specifici delle applicazioni, diventa sempre più necessario ottimizzare una serie di parametri relativi ai MOSFET. Ad esempio, le applicazioni possono richiedere un avvio graduale, un'ampia area operativa sicura, prestazioni affidabili in modalità lineare o una maggiore protezione. In Nexperia, combiniamo la nostra comprovata esperienza nel campo dei MOSFET con una vasta conoscenza delle applicazioni per creare una gamma sempre più ampia di MOSFET specifici per l'applicazione.
ASFET del settore automobilistico per l'effetto valanga ripetitivo
Prestazioni di effetto valanga ripetitivo garantite, idonei per il settore automobilistico
Quando si utilizzano i MOSFET per alimentare carichi induttivi, come il pilotaggio di solenoidi, la maggior parte dei progetti dei circuiti include componenti aggiuntivi per proteggere i MOSFET quando la corrente di carico continua a fluire durante lo spegnimento. Ciò può variare da topologie boost molto efficienti ma costose che riutilizzano la corrente fino a un metodo meno efficiente ma più conveniente che si serve di un diodo a ruota libera. La semplice opzione alternativa con una configurazione a effetto valanga ripetitivo è stata possibile solo grazie all'utilizzo della tecnologia planare. Ottimizzando i MOSFET in modo che le correnti con effetto valanga ripetitivo possano essere gestite facilmente mantenendo una temperatura di congiunzione inferiore a 175 °C, Nexperia offre un dispositivo veramente robusto in grado di garantire numerosi risparmi a livello di sistema.
Caratteristiche principali
- • Conformità allo standard AEC-Q101
- • Prestazioni di effetto valanga ripetitivo garantite, testati fino a 1 miliardo di cicli
- • La robusta tecnologia al silicio combinata con le prestazioni termiche di LFPAK garantisce che la temperatura del die rimanga al di sotto dei 175 °C
- • La semplicità di utilizzo di un singolo MOSFET riduce la complessità della BOM e del circuito, consentendo un risparmio di spazio e di costo del sistema
- • La moderna tecnologia Trench in alternativa alle vecchie tecnologie planari
- • Maggiore efficienza e commutazione più rapida rispetto al metodo del diodo a ruota libera
Applicazioni
- • Applicazioni per il gruppo motopropulsore
- • Controllo di solenoidi e attuatori per il settore automobilistico
- • Controllo di motori
- • Controllo di solenoidi
- • Carichi ausiliari
- • Controllo di trasmissione
- • Sistemi di frenata
Note sulle applicazioni
- • Indice di robustezza dei MOSFET di potenza per l'effetto valanga singolo e ripetitivo
- • Pilotaggio di solenoidi nelle applicazioni automobilistiche
Video
Prodotti/Schede tecniche
50/55 V per motori CC da 36 V
SOA ottimizzata, elevato indice ID ed eccellente capacità di effetto valanga
La domanda di motori CC da 36 V è in aumento poiché vengono spesso utilizzati con batterie agli ioni di litio a più celle, in una gamma sempre più ampia di applicazioni. Dagli elettroutensili a batteria alle apparecchiature elettriche per esterni e persino biciclette e scooter elettrici. Per alimentare in modo sicuro ed efficiente queste applicazioni molto esigenti, i MOSFET devono essere ottimizzati per un livello di corrente elevato, una zona operativa sicura rinforzata e un elevato indice di robustezza dell'effetto valanga. Nexperia li ha anche ottimizzati per migliorare la loro efficienza con la gamma di ASFET da 50/55 V.
Caratteristiche principali
- • La tecnologia di supergiunzione di Nexperia fornisce un' area operativa sicura (SOA, Safe Operating Area) potenziata per supportare la dissipazione di potenza dovuta a guasti di cortocircuiti
- • ID (max) – 200 A in un LFPAK56, che consente una coppia massima dal motore e gestisce in modo affidabile carichi elevati e condizioni della corrente di stallo
- • Dissipazione di energia del potenziale UIS (unclamped inductive spiking) inferiore del 20% rispetto a quella di analoghi MOSFET da 60 V
- • Le caratteristiche di basso RDS(on) di Nexperia offrono maggiore efficienza, garantendo una maggiore durata della batteria
- • Come per tutte le applicazioni del motore, il sistema presenta un livello di vibrazione che non può essere attenuato. LFPAK offre un livello eccezionale di affidabilità e robustezza a livello di scheda.
- • Molti dispositivi vengono forniti a livello logico, il che consente di commutarli direttamente da un dispositivo a microcontroller
Applicazioni
- • Controllo del motore CC senza spazzole
- • Raddrizzatore sincrono in applicazioni da CA a CC ad elevata potenza, ad esempio gli alimentatori dei server
- • Protezione della batteria e sistemi di gestione della batteria (BMS)
- • Interruttore di carico
- • Applicazioni con batteria agli ioni di litio a 10 celle (36 V - 42 V)
Note sulle applicazioni
- • Progettazione di soppressori R-C
- • Modelli termici R-C
- • Comprendere i parametri della scheda tecnica dei MOSFET di potenza
- • Resistenza termica dei MOSFET LFPAK
- • Indice di robustezza dei MOSFET di potenza per l'effetto valanga singolo e ripetitivo
- • Firma del guasto da sovrastress elettrico sui MOSFET di potenza
- • Progettazione nei MOSFET per un funzionamento sicuro e affidabile del gate
- • Utilizzo dei MOSFET di potenza in parallelo
Video
Prodotti/Schede tecniche
ASFET per scambio di calore e avvio graduale con SOA rinforzata
Modalità lineare affidabile, SOA rinforzata e RDS(on) basso
Che si tratti di cloud o edge, viviamo davvero 24 ore su 24, 7 giorni su 7. Gran parte della nostra vita quotidiana dipende da computer basati su rack e da sistemi di comunicazione e archiviazione costantemente attivi. Per evitare che questi sistemi subiscano interruzioni di corrente e per proteggere i componenti della scheda sostitutiva quando inseriti in un sistema alimentato, è essenziale che la corrente di spunto sia attentamente controllata. Nei MOSFET normali, una SOA rinforzata e un RDS(on) basso si escludono a vicenda. Offrendo entrambe le funzionalità in un unico dispositivo, i MOSFET specifici di Nexperia per lo scambio di calore e l'avvio graduale sono ottimizzati per funzionare in un mondo che non si ferma mai.
Caratteristiche principali
- • I MOSFET con elevate prestazioni in modalità lineare e un'area operativa sicura (SOA) rinforzata sono necessari per gestire la corrente di spunto in modo efficace e affidabile quando nel backplane vengono introdotti carichi capacitivi.
- • Quando una scheda sostitutiva vien alimentata in sicurezza, il MOSFET è completamente acceso. In questa modalità di funzionamento, un valore RDS(on) basso è di fondamentale importanza per aiutare a mantenere le temperature basse e il sistema alla massima efficienza.
- • Il nuovo dispositivo potenzia la SOA del 166% rispetto ai 50 V di un D2PAK
Applicazioni
- • Scambio di calore per l'infrastruttura delle comunicazioni
- • Server disposto a rack/blade server ad alte prestazioni
- • Scambio di calore per blade server
Note sulle applicazioni
Video
Prodotti/Schede tecniche