高效的 AC/DC 电源是快速发展的电信和数据通信基础设施的性能核心。然而，目前可用的硅 MOSFETS 已经达到理论上的功率传输极限。在本文中，了解 Analog Devices 公司的氮化镓 (GaN) 新技术如何帮助硬件设计师打造新一代产品。
氮化镓晶体管不仅具有更高的能量转换效率，还支持更大的密度。它们的开关速度比前代硅 MOSFETS 快很多，原因在于：
● 栅极电容和输出电容更低。
● 更低的漏极源导通电阻 (RDS(ON)) 可实现更高的电流操作，从而降低传导损耗。
● 反向恢复电荷 (QRR) 比较低或为零，因此不需要体二极管。
GaN 模块领域的一个新兴趋势是将模块与隔离栅驱动器捆绑在一起。这种改进的主要好处是降低了电感寄生效应，从而提高了开关性能。集成模块 + 驱动器捆绑的良好示例是 ADuM110N，它具有低传播延迟和高频率的特点。
总之，与前几代电源技术相比，GaN 晶体管具有更小的尺寸、更低的电阻和更高的工作频率。Analog Devices 公司的 iCoupler 等新开发的产品正在帮助将 GaN 的优势应用于中高压电源。
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