Los suministros de energía eficientes de CA/CC son fundamentales para el rendimiento de la infraestructura de telecomunicaciones y de comunicación de datos que evolucionan rápidamente. Sin embargo, los MOSFET de silicio disponibles en la actualidad han alcanzado sus límites teóricos de entrega de potencia. En este artículo, obtenga más información sobre cómo la nueva tecnología de nitruro de Galio (GaN) de Analog Devices está ayudando a los diseñadores de hardware a desarrollar lo que viene.
Los transistores de nitruro de Galio ofrecen una mayor eficiencia en la conversión de energía y también posibilitan una mayor densidad. Pueden cambiar mucho más rápido que sus predecesores, los MOSFET de silicio, ya que ofrecen:
● Capacitancia de compuerta más baja y capacitancia de salida.
● Una fuente de drenaje más baja en el resistor (RDS(ON)) para un mayor funcionamiento de la corriente, lo que da como resultado, menores pérdidas de conducción.
● Carga de recuperación inversa (QRR) baja o nula, puesto que no hay necesidad de un diodo de cuerpo.
Una tendencia emergente en el mundo de los módulos de GaN es la combinación del módulo con un controlador de barrera de aislamiento. El principal beneficio de esta evolución es un rendimiento de conmutación más rápido, debido a la reducción de los parásitos del inductor. Un buen ejemplo de un paquete integrado de módulo + controlador es el ADuM110N, que presenta un retardo de propagación bajo y una frecuencia alta.
En conclusión, los transistores de GaN ofrecen tamaños más pequeños, menor resistencia y mayor frecuencia de trabajo que las generaciones anteriores de tecnología de suministro de energía. Los nuevos desarrollos, como iCoupler® de Analog Devices, están ayudando a llevar los beneficios de GaN a los suministros de energía de media y alta tensión.
VER ARTÍCULO
Ver Productos relacionados
Ver Productos relacionados
Ver Productos relacionados
Ver Productos relacionados
