Degli alimentatori CA-CC efficienti sono fondamentali per le prestazioni di un'infrastruttura di telecomunicazioni e datacom in rapida evoluzione. I MOSFET al silicio attualmente disponibili, tuttavia, hanno raggiunto i loro limiti teorici di erogazione di corrente. In questo articolo, scopri come la nuova tecnologia al nitruro di gallio (GaN) di Analog Devices sta aiutando i progettisti di hardware a costruire i dispositivi di prossima generazione.
I transistor al nitruro di gallio offrono una maggiore efficienza nella conversione di corrente e consentono anche una maggiore densità. Sono in grado di garantire commutazioni molto più rapide dei dispositivi usati in precedenza, cioè i MOSFET al silicio, perché offrono:
● Capacità di gate e di uscita inferiori.
● Valori della resistenza tra drain e source (RDS(ON)) inferiori per un funzionamento a correnti più elevate, che comporta perdite di conduzione più limitate.
● Un valore della carica di recupero inverso (QRR) estremamente basso o pari a zero, poiché non è necessario un body diode.
Una tendenza emergente nel mondo dei moduli GaN è il raggruppamento del modulo con un driver di barriera di isolamento. Il vantaggio principale di questa evoluzione sono le prestazioni di commutazione più rapide grazie alla riduzione degli elementi parassiti dell'induttore. Un buon esempio di un raggruppamento modulo + driver integrati è rappresentato dal dispositivo ADuM110N, che offre un ritardo di propagazione limitato e una frequenza elevata.
In conclusione, i transistor GaN offrono dimensioni più limitate, resistenza inferiore e frequenza di funzionamento più elevata rispetto alle precedenti generazioni di tecnologia di alimentazione. Nuovi sviluppi tecnologici, come la tecnologia iCoupler® di Analog Devices, stanno contribuendo a portare i vantaggi del GaN agli alimentatori a media e alta tensione.
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