効率的なAC/DC電源は、急速に進化する通信およびデータ通信インフラストラクチャのパフォーマンスの中核です。しかし、現在利用可能なシリコンMOSFETは、電力供給の理論上の限界に達しています。この記事では、 Analog Devices の新しい窒化ガリウム (GaN) テクノロジーが、ハードウェア設計者の次世代製品の構築にどのように役立っているかについて説明します。
窒化ガリウムトランジスタはエネルギー変換効率を高め、高密度化も実現します。以下の特徴により、従来のシリコンMOSFETよりもはるかに高速にスイッチングできます。
● ゲート容量と出力容量が低くなります。
● ドレイン-ソース間オン抵抗（RDS(ON)）が低いため、高電流動作が可能になり、伝導損失が低減します。
● ボディダイオードが不要なため、逆回復電荷（QRR）が低いかゼロです。
GaNモジュールの世界では、モジュールと絶縁バリア ドライバーをバンドルするトレンドが生まれています。この進化による主な利点は、インダクタの寄生容量の削減によりスイッチング性能が向上することです。統合モジュール + ドライバ バンドルの良い例としては、低伝播遅延と高周波数を特徴とするADuM110Nがあります。
結論として、GaNトランジスタは、前世代の電源技術よりも小型、低抵抗、高動作周波数を実現します。Analog DevicesのiCoupler® などの新しい開発により、GaNの利点を中電圧および高電圧電源に取り入れることができるようになります。
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