Des alimentations à courant alternatif/continu efficaces sont essentielles pour garantir les performances d'une infrastructure de télécommunications et de transmission de données qui évolue rapidement. Toutefois, les transistors MOSFET en silicium actuellement disponibles ont atteint leurs limites théoriques de capacité de puissance. Dans cet article, découvrez comment la nouvelle technologie à nitrure de gallium (GaN) de Analog Devices peut aider les concepteurs matériels à créer des produits d'avenir.
Les transistors à nitrure de gallium permettent une meilleure conversion d'énergie ainsi qu'une meilleure densité. Ils peuvent commuter plus rapidement que leur prédécesseur, le transistor MOSFET en silicium, car ils offrent :
● Une capacité de grille et une capacité de sortie inférieures.
● Une résistance de source de drainage (RDS(ON)) inférieure pour un fonctionnement à courant supérieure, ce qui se traduit par des pertes par conduction réduites.
● Une charge de récupération inverse (QRR) faible ou inexistante, car aucune diode du corps n'est nécessaire.
Une tendance émergente dans le monde des GaN consiste à regrouper le module à un pilote de barrière d'isolation. Le principal avantage de cette évolution est une performance de commutation plus rapide en raison de la réduction des parasites d'inducteur. L'intégration d'un module + pilote pour obtenir un ADuM110N est un bon exemple car il permet un faible retard de propagation et une fréquence élevée.
En conclusion, les transistors GaN sont de plus petites tailles, de résistance plus faible et d'une fréquence de fonctionnement plus élevée que les générations précédentes de technologie d'alimentation. De nouveaux développements, comme iCoupler® de Analog Devices, permettent de réunir les avantages du transistor GaN sur les alimentations électriques basse tension et haute tension.
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