Nexperia, empresa experta en semiconductores esenciales, anunció una nueva gama de dispositivos FET GaN que cuentan con tecnología de alto voltaje H2 HEMT de GaN de última generación en TO-247 y en el paquete de montaje en superficie CCPAK de propiedad de la empresa, así como nuevos rectificadores de silicio germanio (SiGe, por sus siglas en inglés), con voltaje inverso de 120 V, 150 V y 200 V, que combinan la gran eficacia de sus homólogos Schottky con la estabilidad térmica de los diodos de recuperación rápida.
FET GaN de potencia de segunda generación (H2)
Eficientes y eficaces FET de alta potencia
Nexperia amplía su familia con nitruro de galio con el nuevo GAN041-650WSB, que ofrece mejorías de rendimiento, así como eficacia de grado de titanio 80+, lo que cumple los requisitos de potencia de servidores de la UE. El nitruro de galio va dirigido a aplicaciones industriales y de automoción donde la eficacia de conversión de potencia y la densidad de potencia desempeñan un papel crítico para su adopción en el mercado; los transistores FET de nitruro de galio facilitan sistemas más compactos, más rápidos y más ligeros, todo ello con un coste de sistema global más bajo.
Descargar el folleto Rendimiento, eficacia y
confiabilidad de FET GaN
Serie de productos GaN de Nexperia
Características principales:
• Carga de recuperación inversa ultrabaja
• Controlador de compuerta simple (0 V a +10 V o 12 V)
• Óxido de compuerta sólida (capacidad de ±20 V)
• Voltaje de umbral de compuerta alta (+4 V) para obtener muy buena inmunidad al rebote de compuerta
• Voltaje de drenaje de fuente muy baja en modo de conducción inversa
• Capacidad de sobrevoltaje transitorio
Aplicaciones:
• Convertidores de conmutación fija y suave para energía industrial y de telecomunicaciones
• PFC de polos tótem sin puente
• Inversores PV y UPS
• Transmisiones de servomotor
Rectificadores de silicio germanio (SiGe)
Alta eficacia de vanguardia, estabilidad térmica y ahorro de espacio
Los rectificadores SiGe de Nexperia combinan la alta eficacia de los rectificadores Schottky con la estabilidad térmica de los diodos de recuperación rápida. Los rectificadores, que están en conformidad con la norma AEC-Q101, cuyos mercados objetivos son la industria automotriz, los mercados de servidores y la infraestructura de comunicaciones, son de particular beneficio en aplicaciones de alta temperatura. Estos dispositivos tienen muy baja dispersión y permiten un área de operación segura ampliada sin fuga térmica de hasta 175 °C. Además, al mismo tiempo, ofrecen un espacio significativo para optimizar su diseño para lograr mayor eficiencia. 
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SiGe
Serie de productos SiGe de Nexperia
Características principales
• VR de 120 V, 150 V, 200 V
• IR de 1, 2, 3 A
• Bajo voltaje directo y Qrr
• Corriente de dispersión muy baja de < 1="" na="">
• Estabilidad térmica de hasta 175 °C Tj
• Conmutación rápida y fluida
• Baja capacitancia parásita
• Con calificación AEC-Q101
• Ahorro de espacio, empaquetado CFP resistente
Beneficios
• Excelente eficacia
• Área de operación segura ampliada
Aplicaciones
• Automóviles, por ej., iluminación LED, unidades de control de motores
• Infraestructura de comunicaciones
• Energía de servidores