Potenciando el futuro del almacenamiento de energía
Ante un consumo mundial de energía cada vez mayor y regulaciones estrictas sobre emisiones de carbono, la transición a fuentes de energía renovables presenta desafíos sin precedentes para garantizar un suministro de energía confiable. En consecuencia, la demanda de sistemas de almacenamiento de energía para almacenar el exceso de energía está aumentando. Un elemento crucial de estos sistemas es el Sistema de Conversión de Energía (PCS), el intermediario vital entre grandes bancos de baterías (CC), el componente de almacenamiento y la red eléctrica (CA).
El sistema de conversión de energía (PCS) desempeña un papel crucial a la hora de facilitar la conversión CA/CC y CC/CA. Gestiona el flujo de energía, dirigiéndolo a las baterías para cargarlo o convirtiéndolo del almacenamiento de baterías a CA y suministrándolo a la red. Para soluciones PCS por debajo de 30 kW, Infineon ofrece componentes discretos como MOSFET OptiMOS™, CoolMOS™ y CoolSiC™, junto con CoolGaN™ para diseños de conmutación rápidos y avanzados, que son óptimos. Por otro lado, para niveles de potencia superiores a 100 kW, el enfoque modular que utiliza módulos CoolSiC™ e IGBT, junto con módulos Easy de 3 niveles altamente integrados, ofrece las ventajas más económicas.
La gama intermedia requiere un análisis caso por caso para determinar si las soluciones discretas o modulares son más adecuadas. Para cada conmutador, se necesita un controlador y, para controlar estos controladores, Infineon proporciona los circuitos integrados de controlador de puerta EiceDRIVER™ adecuados, junto con XMC™ y soluciones de sensores de corriente. Para completar la gama y garantizar la protección y seguridad de los datos, Infineon ofrece productos OPTIGA™.
- FF1000R17IE4: Módulo IGBT dual de medio puente PrimePACK™ 3 de 1700 V y 1000 A con TRENCHSTOP™ IGBT4, NTC y chip de conmutación rápida
- IPZA65R029CFD7XKSA1: MOSFET de superunión CoolMOS™ CFD7 de 650 V con diodo de cuerpo rápido integrado en paquete TO-247 de 4 pines
- FF600R12ME4WB73BPSA1: Módulo IGBT doble de 1200 V, 600 A
- IMZA65R027M1HXKSA1: MOSFET CoolSiC™ de 650 V – MOSFET de SiC
- IMBG65R022M1HXTMA1: MOSFET de SiC en paquete SMD compacto
- IMZ120R045M1XKSA: MOSFET de trinchera de SiC CoolSiC™ de 1200 V en paquete TO247-4
- IRF100P219AKMA1: MOSFET de potencia StrongIRFET™ de canal N único de 100 V en un paquete TO-247
- 2EDF7275KXUMA1: MOSFET y controlador de energía 8A 2 SALIDA Lado alto No inversor TFLGA T/R de 13 pines - Cinta y carrete
- 1ED3125MU12FXUMA1: Controlador de puerta aislado de un solo canal, 10 A, 3.0 kV (rms) con abrazadera Miller activa, certificación UL 1577, UVLO de 10.5 V
- TLI4971A120T5E0001XUMA1: XENSIV™ - TLI4971-A1205T5-E0001 sensor de corriente magnético para mediciones de CA y CC en aplicaciones industriales
- CY8C4588AZI-H675: Microcontrolador MCU PSoC4
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