Potenziare il futuro dello stoccaggio dell'energia
Di fronte all'aumento costante del consumo energetico globale e alle severe normative sulle emissioni di CO2, la transizione verso fonti energetiche rinnovabili presenta sfide del tutto nuove nel garantire affidabilità nella fornitura di corrente. Di conseguenza, sta aumentando anche la domanda di sistemi di accumulo dell'energia per lo stoccaggio dell'energia in eccesso. Un elemento fondamentale di questi sistemi è il sistema di conversione di potenza (PCS), che fa da intermediario tra grandi sistemi di batterie (CC), il componente di stoccaggio e la rete elettrica (CA).
Il sistema di conversione di potenza (PCS) ha un ruolo fondamentale nell'agevolare la conversione CA/CC e CC/CA. Gestisce il flusso di corrente, indirizzandolo alle batterie per la ricarica o convertendolo dalle batterie di accumulo in CA e immettendolo nella rete. Per le soluzioni PCS sotto i 30 kW, Infineon offre componenti discreti come i MOSFET OptiMOS™, CoolMOS™ e CoolSiC™, oltre a CoolGaN™ per progetti avanzati e a commutazione rapida, che sono ottimali. D'altro canto, per livelli di potenza superiori a 100 kW, l'approccio modulare che utilizza moduli CoolSiC™ e IGBT, insieme ai moduli Easy a 3 livelli altamente integrati offre maggiori vantaggi economici.
La fascia intermedia richiede un'analisi caso per caso, per stabilire se siano più adatte soluzioni discrete o modulari. Ciascun interruttore richiede un driver, per controllare i quali Infineon fornisce i circuiti integrati per driver gate EiceDRIVER™ adatti, oltre a soluzioni XMC™ e per sensori di corrente. Per completare la gamma e garantire la protezione e la sicurezza dei dati, Infineon offre i prodotti OPTIGA™.
- FF1000R17IE4 - Modulo IGBT doppio PrimePACK™ 3 half-bridge da 1.700 V, 1.000 A con IGBT4 TRENCHSTOP™, NTC e chip a commutazione rapida
- IPZA65R029CFD7XKSA1 - MOSFET SuperJunction CoolMOS™ CFD7 da 650 V con body diode veloce integrato in package TO-247 a 4 pin
- FF600R12ME4WB73BPSA1 - Modulo IGBT doppio da 1.200 V, 600 A
- IMZA65R027M1HXKSA1 - MOSFET CoolSiC™ da 650 V - MOSFET SiC
- IMBG65R022M1HXTMA1 - MOSFET SiC in un package SMD compatto
- IMZ120R045M1XKSA - MOSFET SiC Trench CoolSiC™ da 1.200 V in un package TO247-4
- IRF100P219AKMA1 - Singolo MOSFET di potenza StrongIRFET™ a canale N da 100 V in un package TO-247
- 2EDF7275KXUMA1 - MOSFET e driver di potenza 8 A 2-OUT lato alto, T/R TFLGA a 13 pin non invertente - Nastro e bobina
- 1ED3125MU12FXUMA1 - Driver gate isolato a canale singolo da 10 A, 3,0 kV (rms) con morsetto Miller attivo, certificato UL 1577, UVLO da 10,5 V
- TLI4971A120T5E0001XUMA1 - XENSIV™ - Sensore di corrente magnetico TLI4971-A1205T5-E0001 per misurazioni CA e CC in applicazioni industriali
- CY8C4588AZI-H675 - Microcontrollore MCU PSoC4
Scopri di più sui sistemi di accumulo dell'energia e sui sistemi di conversione dell'energia:
White paper - Densità di potenza di livello superiore nel solare e nello stoccaggio dell'energia con i MOSFET in carburo di silicio (in lingua inglese)
White paper - Rinnovabili: l'energia del futuro insieme e i sistemi di accumulo dell'energia (in lingua inglese)
Brochure - Sistemi di accumulo dell'energia (ESS) residenziali e commerciali e topologia multi-modulare per batterie riutilizzate a fine vita (in lingua inglese)
Guarda il video - Spiegazioni sulla tecnologia delle energie rinnovabili (in lingua inglese)
Webinar - Dalle rinnovabili allo stoccaggio dell'energia: tendenze e soluzioni offerte da Infineon (in lingua inglese)