Los semiconductores y la arquitectura de control de Infineon se diseñan de manera única para brindar mayor eficiencia, densidad de potencia y rentabilidad a nuestros productos. Nuestro rango completo de transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de potencial industrial con canal N OptiMOS™ y StrongIRFET™ permite innovación y rendimiento en su aplicación.
Los MOSFET de potencia OptiMOS™ proporcionan rendimiento excelente de primera clase. Las características incluyen RDS(on) ultra bajas así como baja carga para aplicaciones de alta frecuencia de conmutación. Los MOSFET de potencia StrongIRFET™ se diseñan para aplicaciones industriales resistentes y son ideales para los diseños con baja frecuencia de conmutación, así como para los que requieren una alta capacidad de transporte de corriente.
Para aplicaciones de menor frecuencia, OptiMOS™ 5 es la mejor opción cuando se requiere rendimiento de primera clase. Sin embargo, se recomienda StrongIRFET™ para aplicaciones de 20 a 75 V cuando no es esencial un rendimiento de primera clase y el costo es una consideración más significativa.
Se recomienda OptiMOS™ 5 para rendimiento de primera clase con voltajes de 80 a 150 V. Si no es esencial que sea de primera clase y el precio/rendimiento es más importante, se recomienda OptiMOS™ 3.
Los voltajes superiores a 150 V están disponibles en OptiMOS™ 3. Además, los MOSFET de zanja más antiguos, que se muestran aquí como HEXFET™, son una opción para mercados altamente generalizados donde el costo es la consideración principal.
Para aplicaciones de alta frecuencia, se recomienda OptiMOS™ 5 para garantizar primera clase y precio/rendimiento de hasta 150 V. Se puede considerar OptiMOS™ 3 para las aplicaciones en las que el alto rendimiento es menos esencial. Al igual que con las aplicaciones de baja frecuencia, OptiMOS™ 3 está disponible para voltajes superiores a 150 V.
En síntesis, la cartera de OptiMOS™ de Infineon, ahora complementada por los MOSFET de potencia StrongIRFET™, crea una combinación verdaderamente poderosa. La cartera colectiva, que cubre MOSFET desde 20 V hasta 300 V, puede abordar un amplio rango de necesidades de frecuencias de conmutación de baja a alta. Las tablas a continuación proporcionan una descripción general para los productos recomendados OptiMOS™ o StrongIRFET™ para cada sub-aplicación principal y clase de voltaje.
Características
Aplicaciones
El rango completo de MOSFET de potencia con canal N OptiMOS™ y StrongIRFET™ permite innovación y rendimiento en aplicaciones tales como suministros de energía de modo de conmutador (SMPS), transmisiones y control del motor, inversores y sistemas de computación.
Transmisiones
Para las aplicaciones de gran resistencia, como herramientas eléctricas, aparatos eléctricos y transmisiones industriales, se recomienda StronIRFET™.
Para las aplicaciones de frecuencia de alta conmutación, recomendamos OptiMOS™.
Inversor
Para aplicaciones como los suministros de alimentación ininterrumpida y energía solar, recomendamos OptiMOS™.
Para los sistemas de alimentación sin batería, se recomienda StrongIRFET™.
SMPS
Para las aplicaciones de SMPS, recomendamos encarecidamente OptiMOS™.
Para las aplicaciones de SMPS sensibles a los costos, es posible que StrongIRFET™ sea la opción correcta.
