International Rectifier : Infineon et IR : un puissant partenariat

Les semiconducteurs et l’architecture de commande d’Infineon sont conçus spécifiquement pour octroyer des valeurs supérieures de rendement, de densité énergétique et de rentabilité à vos produits. Notre gamme entière de MOSFET à canal N d’alimentation industrielle OptiMOS™ et StrongIRFET™ stimule l’innovation et les performances de votre application.

Les MOSFET d’alimentation OptiMOS™ procurent d’excellentes performances. Ils comportent notamment un RDS(on) ultra faible, ainsi qu’une faible charge dédiée aux applications à fréquence de commutation élevée. Les MOSFET d’alimentation StrongIRFET™ sont conçus pour les applications industrielles robustes et conviennent parfaitement aux conceptions présentant une fréquence de commutation faible, ainsi qu’à celles nécessitant une capacité de transport du courant élevé.

Pour les applications à basse fréquence, OptiMOS™ 5 est la solution appropriée dans les scénarios où des performances optimales sont requises. Toutefois, StrongIRFET™ est recommandé pour les applications de 20 à 75 V dans les situations où le niveau de performances requis est moins strict et où l’aspect financier est primordial.

Pour obtenir des performances optimales à des tensions comprises entre 80 et 150 V, nous vous recommandons d’adopter OptiMOS™ 5. Si les exigences sont moindres et que le rapport qualité/prix a davantage d’importance, OptiMOS™ 3 est la solution qu’il vous faut.

Des tensions supérieures à 150 V sont disponibles avec OptiMOS™ 3. Par ailleurs, d’autres MOSFET Trench, représentés ici en tant que modèles HEXFET™, conviennent particulièrement aux marchés largement investis, au sein desquels le prix est la considération principale.

Pour les applications à fréquence élevée, OptiMOS™ 5 est une solution que nous recommandons aux utilisateurs en quête d’une solution optimale et du meilleur rapport qualité-prix, jusqu’à 150 V. Nous vous conseillons d’adopter OptiMOS™ 3 dans les situations qui ne nécessitent pas de performances élevées. Comme c’est le cas avec les applications à basse fréquence, OptiMOS™ 3 est disponible pour les tensions supérieures à 150 V.

En résumé, la gamme Infineon OptiMOS™, désormais complétée par les MOSFET d’alimentation StrongIRFET™, constitue une combinaison véritablement puissante. L’éventail commun de solutions, qui comprend des MOSFET compris entre 20 V et 300 V, peut répondre à un large éventail de besoins englobant toutes les fréquences, des plus faibles aux plus élevées. Les tableaux ci-dessous vous procurent des recommandations relatives aux produits OptiMOS™ ou StrongIRFET™, en fonction des différentes sous-applications et classes de tension. 

Fonctionnalités

  • Gamme élargie de produits 20 - 300 V
  • Technologie de pointe OptiMOS™
  • Choix optimal pour les applications présentant une contrainte de coûts - StrongIRFET™

Applications

La gamme complète de MOSFET à canal N d’alimentation OptiMOS™ et StrongIRFET™ stimule l’innovation et les performances de vos applications comme l’alimentation à découpage, les commandes et les entraînements des moteurs, les onduleurs et les solutions informatiques.

Entraînements


Pour les applications hautement robustes comme les outils et les jouets électriques ou les entraînements industriels, nous vous recommandons d’adopter le modèle StrongIRFET™.
Pour les applications à fréquence élevée de commutation, nous vous conseillons d’adopter OptiMOS™.

Onduleur


Pour les applications liées à l’énergie solaire ou les sources d’énergie ininterrompues, nous vous recommandons le modèle OptiMOS™.
Pour les systèmes hors connexion fonctionnant sur batterie, StrongIRFET™ est la solution qu’il vous faut.

Alimentation à découpage

Pour les alimentations à découpage, nous vous recommandons fortement d’adopter OptiMOS™.
Pour les applications d’alimentation à découpage présentant une contrainte de coût, vous avez tout intérêt à opter pour StrongIRFET™.

Actualité

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