Littelfuse, leader dans la protection de circuit, est également reconnu en tant que fabricant de semi-conducteurs et étend désormais son expertise avec les semi-conducteurs de puissance. La série LFUSCD des diodes SIC Schottky vient idéalement compléter sa gamme de semi-conducteurs. Disponible dans des tensions nominales de 650 V à 1 200 V et à des courants nominaux de 4 A à 30 A, elle offre un courant de recouvrement proche de zéro, une résistance élevée aux surtensions et une température de jonction en fonctionnement maximum de 175 °C, idéale pour les véhicules hybrides et entièrement électriques ainsi que le réseau électrique.
Littelfuse est très populaire pour sa gamme de produits de protection de circuit mais beaucoup de gens ignorent notre très grande offre de produits semi-conducteurs. Bien implantée depuis plus de 80 ans, la société Littelfuse s'illustre dans le secteur des semi-conducteurs, y compris les solutions de protection de circuit à base de semi-conducteurs. Littelfuse élargit désormais son offre grâce aux semi-conducteurs de puissance. Cette évolution participe à notre offensive en termes de protection-contrôle-détection avec les technologies de contrôle de puissance et de détection.
L'entrée de Littelfuse dans la famille des semi-conducteurs de puissance nous permettra d'exploiter l'excellente réputation de notre service client et notre grande force en matière de protection de circuit par semi-conducteur et de les associer aux semi-conducteurs de puissance. En bref, Littelfuse s'emploie à élaborer une marque privilégiée et incontestée dans le domaine des semi-conducteurs de puissance.
Parmi les formidables nouveautés de notre catalogue de semi-conducteurs de puissance se trouve la série LFUSCD des diodes Schottky en carbure de silicium avec un courant de recouvrement proche de zéro, une résistance élevée aux surtensions et une température de jonction en fonctionnement maximum de 175 degrés Celsius. Comparées à leur équivalent que sont les diodes de puissance bipolaires standard au silicium, les diodes Schottky en carbure de silicium réduisent considérablement les pertes de commutation et permettent d'augmenter substantiellement l'efficacité et la robustesse du système.
Ces diodes Schottky en carbure de silicium se présentent dans des tensions nominales de 650 V et de 1 200 V et des courants nominaux de 4 A à 30 A sous forme de boîtiers TO-220 à deux broches ou TO-247 à trois broches. Elles sont parfaitement adaptées à des applications qui nécessitent des améliorations en termes d'efficacité, de fiabilité et de gestion thermique telles que les véhicules hybrides et entièrement électriques et le réseau électrique.
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