BFP740 SiGe:C Ultra Low Noise RF Transistor in 5 to 6GHz LNA Application
Infineon Technologies AG の部品 BFP740 を使用したリファレンス デザイン
画像
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最終製品向け
- PoE Wireless Access Point
- Wireless LAN
説明
- BFP740 SiGe:C Ultra Low Noise RF Transistor in 5 to 6GHz LNA Application with 15 dB Gain, 1.3 dB Noise Figure and 100 nanosecond Turn-On/Turn-Off Time
主な特徴
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Operating Frequency5000 to 6000 MHz
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Output Power24.4 dBm
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Gain15.2 dB
注目のパーツ (2)
| 部品番号 | メーカー | タイプ | 説明 | |||
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BFP740H6327XTSA1 | Infineon Technologies AG | RF BJT | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | 買う | |
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BFP740H6327 | Infineon Technologies AG | RF BJT | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | 買う | |