MOSFETゲートとバイポーラトランジスタの技術を組み合わせることで、Bournsは® IGBTディスクリートBIDシリーズは、高電圧および高電流アプリケーション向けに設計されたコンポーネントを作成します。
このデバイスは、高度なトレンチゲートフィールドストップ技術を使用して動的特性をより細かく制御し、その結果、コレクタエミッタ飽和電圧(VCE)が低くなります。 (土)) とスイッチング損失の低減を実現します。さらに、熱効率に優れたTO-252、TO-247、TO-247Nパッケージにより、デバイスはより低い熱抵抗Rth(j-c) を実現できるため、スイッチング電源 (SMPS)、無停電電源 (UPS)、力率補正 (PFC) アプリケーションに適したIGBTソリューションとなります。
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