Soluzione discreta a transistor bipolari a gate isolato (IGBT) di Bourns® Modello della serie BID

11 gen 2023

Combinando la tecnologia di un gate MOSFET e di un transistor bipolare, la serie BID discreta IGBT di Bourns® crea un componente progettato per applicazioni ad alta tensione e a corrente elevata.

Questo dispositivo utilizza l'avanzata tecnologia Trench-Gate Field-Stop per fornire un maggiore controllo delle caratteristiche dinamiche, che a sua volta si traduce in una minore tensione di saturazione dell'emittente del collettore (VCE _(sat)) e meno perdite di commutazione. Inoltre, grazie ai pacchetti TO-252, TO-247 e TO-247N termicamente efficienti, i dispositivi possono fornire una minore resistenza termica Rth_(j-c), il che li rende soluzioni IGBT adatte per alimentatori a commutazione (SMPS), gruppi di continuità (UPS) e applicazioni di correzione del fattore di potenza (PFC).

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Applicazione

1 / 3

Lightning

2 / 3

Power Supply

3 / 3

Solar Battery
Management System

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