Série BID de modèles Solution discrète de transistor bipolaire à barrière isolée (IGBT) de Bourns®

11 janv. 2023

En associant la technologie d'une porte MOSFET et d'un transistor bipolaire, la série BID discrète IGBT de Bourns® crée un composant conçu pour la haute tension et le courant élevé.

Cet appareil utilise la technologie avancée TG-FS (Trench-Gate Field-Stop) pour mieux contrôler les caractéristiques dynamiques et contribuer, en retour, à une tension de saturation plus faible au niveau du collecteur et de l'émetteur (VCE _(sat)) et diminuer ainsi les pertes de commutation. En outre, grâce aux paquets TO-252, TO-247 et TO-247N thermiquement efficaces, les appareils peuvent fournir une résistance thermique plus faible Rth_(j-c), ce qui en font des solutions IGBT adaptées pour les alimentations électriques à découpage (SMPS), les sources d'alimentation ininterruptible (UPS) et les corrections de facteur de puissance (PFC).

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Application

1 / 3

Lightning

2 / 3

Power Supply

3 / 3

Solar Battery
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