Solución discreta modelo Serie BID, transistor bipolar de compuerta aislada (IGBT) de Bourns®

11 ene. 2023

Al combinar la tecnología de una compuerta MOSFET y un transistor bipolar, la serie IGBT Discrete BID de Bourns® crea un componente diseñado para aplicaciones de alta tensión y alta corriente.

Este dispositivo utiliza la avanzada tecnología Trench-Gate Field-Stop para proporcionar un mayor control de las características dinámicas, lo que a su vez se traduce en una menor tensión de saturación colector-emisor (VCE (sat)) y menos pérdidas por conmutación. Además, gracias a los paquetes de eficacia térmica TO-252, TO-247 y TO-247N, los dispositivos pueden ofrecer una menor resistencia térmica Rth(j-c), lo que los convierte en soluciones IGBT adecuadas para fuentes de alimentación en modo de conmutador (SMPS), suministros de energía ininterrumpida (UPS) y aplicaciones de corrección del factor de potencia (PFC).

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Aplicación

1 / 3
Lightning
2 / 3
Power Supply
3 / 3
Solar Battery
Management System

 

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