Esta tecnología garantiza que los vehículos ecológicos, silenciosos y eficientes estarán en nuestras carreteras
El cambio climático, la escasez de petróleo y la contaminación atmosférica: La movilidad tiene que ser neutra en CO2 en el futuro. Los automóviles eléctricos y los vehículos híbridos emiten menos gases de escape que los automóviles con motor de combustión, si es que lo hacen. La electromovilidad es, por tanto, una forma importante de permitirlo, siempre que la energía se obtenga de energías renovables. La AIE predice que los vehículos eléctricos tendrán una cuota de mercado de aproximadamente el 30 % en 2030, con un número total de 34 millones de automóviles eléctricos en las carreteras.
Los vehículos eléctricos están cambiando nuestra forma de movernos, no sólo porque son más ecológicos. Un automóvil eléctrico cuesta más que un vehículo de gasolina o diésel comparable, principalmente debido a los grandes costes de producción de la batería, aunque sus precios han bajado en los últimos años. Sin embargo, la electricidad es más barata que los hidrocarburos. Además, los vehículos eléctricos requieren menos mantenimiento y menos reparaciones. No es necesario cambiar el aceite ni los filtros, y no hay sistemas de escape, correas de distribución ni correas trapezoidales.
Un motor de combustión tiene unos 2500 componentes que hay que fabricar y ensamblar, frente a los 250 de un motor eléctrico. Los automóviles eléctricos pueden ser revisados de forma rápida mediante actualizaciones de software por aire (SOTA). Los automóviles eléctricos ofrecen un alto rendimiento y tienen una eficiencia muy superior a la de los vehículos con motor de combustión: la relación entre la energía que se introduce y la que se puede utilizar es de alrededor del 90 por ciento en los trenes motrices eléctricos. Esa cifra es sólo del 35 % para los motores de gasolina y del 45 % para los motores diésel. El resto se pierde en forma de calor, por ejemplo.
Al disponer de un alto par de forma inmediata, los vehículos eléctricos son capaces de acelerar más rápido desde 0. También pueden obtener energía con la ayuda del inversor, por ejemplo al frenar, y devolverla a la batería. Este efecto se llama recuperación. Los automóviles eléctricos tienen derechos especiales en algunos países: En ciertas ciudades de Alemania, pueden aparcar gratuitamente y utilizar los carriles de autobús, por ejemplo. Los conductores de automóviles eléctricos en Noruega tienen aún más privilegios.
 |
Módulo de accionamiento HybridPACK™ FS660R08A6P2FB El módulo HybridPACK™ de accionamiento con IGBT y diodo EDT2 es un módulo de seis unidades muy compacto optimizado para vehículos híbridos y eléctricos. El producto FS660R08A6P2FB viene con una placa base plana y es un módulo derivado de 750 V/660 A dentro de la familia de módulos de accionamiento HybridPACK. |
 |
Módulo de refrigeración lateral doble El HybridPACK™ DSC S1 es un módulo de medio puente muy compacto destinado a vehículos híbridos y eléctricos. |
 |
Control de la batería de iones de litio y balanceo en los circuitos integrados Control tensión de hasta 12 celdas de batería conectadas en serie. Soporte de conexión en caliente. ADC delta-sigma de 16 bits dedicado para cada célula con modo de medición seleccionable. |
 |
Transceptor de circuitos integrados ISO con puertos UART Compatibilidad para la topología en modo red de anillo. Dos puertos UART para la comunicación en serie con el microcontrolador host. Dos interfaces ISO con puertos UART para la comunicación con otros circuitos integrados BMS |
 |
Serie de conmutación de alta velocidad de quinta generación IGBT rápido de alta velocidad con tecnología TRENCHSTOP™ 5 combinado con el diodo antiparalelo rápido y suave RAPID 1. |
 |
Diodo Schottky CoolSiC™ 650 V G5 para automóviles Diodo Schottky de carburo de silicio de 650 V/8 A en D2PAK (2 pines reales). Revolucionario material semiconductor - Carburo de silicio. |
 |
Módulo Easy 1B de CoolSiC™ automotriz con MOSFET El módulo EasyDUAL con MOSFET automotriz CoolSiC™ y PressFIT/NTC es un módulo de medio puente que combina las ventajas de la sólida tecnología de carburo de silicio de Infineon con un paquete muy compacto y flexible para vehículos híbridos y eléctricos (pila de combustible). |
 |
Microcontrolador de 32 bits TC233 / TC234 / TC237 Microcontrolador de un solo chip de 32 bits A-Step. Microcontrolador de un solo chip de 32 bits |
 |
Módulo de™ accionamiento HybridPACK FS380R12A6T4B El módulo HybridPACK™ de accionamiento con IGBT4 de Trench/Fieldstop y diodo controlado por emisor 4 es un módulo muy compacto de seis unidades (1200 V/380 A) optimizado para vehículos híbridos y eléctricos. |
 |
Controlador de puerta EiceDRIVER™ Controlador de IGBT aislado de un canal con tecnología de transformador sin núcleo. Para los IGBT hasta 1200 V. CMTI de hasta 150 V/ns a 1000 V. |
|
Transistor de potencia CoolMOS™ con CFDA de 650 V Transistor MOSFET de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico. Transistor de potencia™ CFDA de 650 V CoolMOS. IPx65R150CFDA. |
 |
Módulo EasyPACK con IGBT3 rápido con tecnología Trench/Fieldstop El módulo EasyPACK con IGBT3 rápido de Trench/Fieldstop y con diodo Rapid 1 y PressFIT/NTC tiene aplicación automotriz y aplicación de conmutación de alta frecuencia. |
 |
Módulo de accionamiento HybridPACK™ FS820R08A6P2 El módulo de accionamiento HybridPACK™ es un módulo muy compacto de seis unidades (750 V/820 A) optimizado para vehículos híbridos y eléctricos. |
Folletos
Desafíos de la construcción de sistemas de administración de baterías automotrices de alta tensión
Documento técnico
Junto con el creciente número de vehículos eléctricos en el mercado y la presión de los gobiernos para reducir las emisiones de los vehículos a cero a más tardar en 2050, existe una fuerte necesidad de soluciones de carga más eficientes. Como demuestran diversos estudios de consumo, la aceptación de la electromovilidad depende en gran medida de la disponibilidad y la duración del proceso de carga, las estaciones de carga de corriente continua de alta potencia son la respuesta a estos requisitos del mercado. Hoy en día, un vehículo eléctrico típico puede cargar alrededor del 80 % de la capacidad de su batería en menos de 10 minutos. Esto es comparable a recargar un automóvil convencional con motor de combustión interna.
Como líder en el mercado de la electrónica de potencia, Infineon le ayuda a dar vida a diseños de carga rápida de CC energéticamente eficientes. Benefíciese de una de las carteras de productos y diseños más completas y listas para ser implementadas del mercado, que cubre toda la gama de productos, desde la conversión de energía, los microcontroladores, la seguridad, el suministro de energía auxiliar y la comunicación.
haga clic en la imagen para ampliarla
Para los diseños de carga de vehículos eléctricos de corriente continua de hasta 150 kW, los productos discretos de Infineon ofrecen la mejor relación precio/rendimiento. Entre ellos se encuentran nuestras familias CoolMOS™ P7 MOSFET SJ de 600 V y CFD7 de 650 V IGTB con tecnología TRENCHSTOP™ 5 y MOSFET CoolSiC™ de 1200 V. Las ventajas inigualables de nuestros MOSFET CoolMOS™ y CoolSiC™ incluyen el funcionamiento de alta frecuencia, la alta densidad de potencia y la reducción de las pérdidas por conmutación, lo que le permite alcanzar altos niveles de eficiencia en cualquier sistema de carga de baterías. Nuestra cartera de conmutadores de alta tensión se complementa con diodos Schottky CoolSiC™ de 650 V y 1200 V. Como todo conmutador necesita un controlador, y se debe regular a todo controlador, también ofrecemos el controlador de puerta EiceDRIVER™ correspondiente así como los microcontroladores XMC™ y AURIX™ para los diseños de carga de vehículos eléctricos. Los productos OPTIGA™ completan la cartera y garantizan la protección y seguridad de los datos. Los cargadores en el rango de potencia superior a 50 kW se construyen por lo general con MOSFET CoolSiC™ IGBT y módulos de potencia de diodos, por ejemplo, Módulos Easy CoolSiC™ IGBT EconoPACK™ y la familia IGBT EconoDUAL™. Las pilas de cargadores con una capacidad superior a los 100 kW suelen construirse de forma modular con subunidades apiladas. En la actualidad, estas subunidades han alcanzado una capacidad de 20-50 kW cada una y la superarán en futuros diseños.
 |
Módulo MOSFET CoolSiC™ 1200 V de medio puente El módulo EasyDUAL™ 2B de 1200 V y 6 mΩ de medio puente con MOSFET CoolSiC™, sensor de temperatura NTC, tecnología de contacto PressFIT y cerámica de nitruro de aluminio permite mejorar la conductividad térmica del material DCB (es posible mejorar la RthJH en un 40 %) y la fiabilidad del óxido de la puerta del MOSFET CoolSiC™. |
 |
Módulo IGBT EconoDUAL™ 3 El módulo IGBT doble EconoDUAL 3™ de 1200 V y 450 A con tecnología TRENCHSTOP™ IGBT4, diodo HE controlado por emisor, NTC y tecnología de contacto PressFIT también está disponible con material de interfaz térmica. No requiere enchufes ni cables y es ideal para diseños de sistemas de baja inducción. |
 |
MOSFET CoolSiC™ de 650 V El MOSFET CoolSiC™ IMZA65R027M1H de 650 V está optimizado para no tener que hacer concesiones a la hora de obtener tanto las menores pérdidas en la aplicación como la mayor fiabilidad en el funcionamiento. Este MOSFET de SiC se presenta en un paquete TO247 de 4 pines que reduce los efectos de la inductancia parásita de la fuente en el circuito de la puerta, lo que permite una conmutación más rápida y una mayor eficiencia. |
 |
EiceDRIVER™ Enhanced Todo conmutador necesita un conductor, y el conductor adecuado marca la diferencia. La familia de controladores aislados EiceDRIVER™ en versión mejorada incluye ahora los nuevos X3 Analog (1ED34xx) y X3 Digital (1ED38xx) con la mejor configuración de DESAT, pinza Miller, Soft-off de I2C. Esta familia de controladores de puerta con gran flexibilidad ofrece una amplia gama de características configurables y opciones de control. |
 |
MOSFET CoolSiC™ de 1200 V SiC Trench MOSFET CoolSiC™ de carburo de silicio de 1200 V SiC con tecnología Trench. Pérdidas de conmutación muy bajas. Característica del estado sin umbral. |
 |
Módulo EasyBRIDGE Módulo EasyBRIDGE CoolSiC™ con Diodo Schottky y tecnología PressFIT / NTC. Diseño compacto, montaje reforzado gracias a las pinzas de montaje integradas. |
 |
IGBT CoolSiC™ Híbrido El IGBT TRENCHSTOP™ 5 H5 se combina con el diodo de barrera Schottky CoolSiCTM de sexta generación. |
 |
Sensor de corriente sin núcleo de alta precisión TLI4971 Sensor de corriente XENSIV™ - TLI4971-A050T5-E001 sin núcleo de alta precisión con interfaz analógica y dos salidas de detección rápida de sobrecorriente. |
 |
EiceDRIVER™ 1ED312xMU12F Compacto 14 A, 3 kV (rms) controlador de puerta aislado de un canal con salida separada con UVLO de 10,5 V con certificación UL 1577. |
 |
EiceDRIVER™ 1ED31xxMC12H Compacto 5,5 A, 5,7 kV (rms) controlador de puerta aislado de un canal con salida separada con UVLO de 8 V con certificación UL 1577 y VDE 0884-11. |
 |
Transistor de potencia CoolMOS™ con CFD7 de 600 V CoolMOS™ es una tecnología revolucionaria para los MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superjunción (SJ) y de la que Infineon Technologies es pionera. |
 |
Módulo EasyPACK™ con tecnologías TRENCHSTOP™, IGBT7 y diodo Schottky CoolSiC™ Módulo EasyPACK™ con tecnologías TRENCHSTOP™, IGBT7, diodo Schottky CoolSiC™ y PressFIT/NTC. Aplicaciones de 3 niveles y aplicaciones solares. |
 |
Módulo de la serie C de 62 mm CoolSiC™ con MOSFET Trench Módulo de la serie C de 62 mm con MOSFET Trench CoolSiC™ y material de interfaz térmica preaplicado. Aplicación de conmutación de alta frecuencia. |
 |
|
 |
 |
||
 |
MOSFET CoolSiC™ de 1200 V SiC Trench MOSFET CoolSiC™ de 1200 V, 7 mΩ SiC con tecnología Trench en paquete TO247-4 |
Folletos