Malgré une croissance à deux chiffres pour la deuxième année consécutive en 2014, le marché mondial des micropuces de mémoire a connu un ralentissement important dans le secteur clé de la mémoire Flash NAND. La baisse des revenus associés à ce type de mémoire Flash devrait se poursuivre en 2015, contribuant au ralentissement du marché global des composants mémoire pour l’année.
Le marché mondial des composants mémoire atteignait près de 76 milliards EUR en 2014, après une croissance de 17 % par rapport à 2013 (soit près de 65 milliards EUR), d’après l’organisme d’études de marché IHS Inc. Ces performances élevées surviennent après une croissance de 28 % en 2013. La croissance de ce marché devrait connaître une baisse très nette en 2015, les revenus générés étant a priori inférieurs à 6 %.
Le segment de mémoire le plus important (DRAM) s’est maintenu dans les années 2013 et 2014, qui ont toutes deux connu une croissance solide de près de 32 %. En comparaison, le secteur de la mémoire NAND (en deuxième position derrière la mémoire DRAM en termes de ventes) a connu une grande baisse de croissance, atteignant un taux de croissance de 6 % seulement en 2014, contre 36 % en 2013.
Les ventes de composants mémoire NAND en 2014 ont été affectées par un ralentissement du développement des expéditions de smartphones, en parallèle avec un déclin encore plus prononcé des ventes de tablettes. Les performances inégales des segments de mémoire ont affecté de manière différente les fournisseurs de semiconducteurs tirant une grande partie de leurs revenus des ventes de composants mémoire NAND de ceux qui basent leur activité sur la mémoire DRAM.
Les revenus des ventes de semiconducteurs du groupe japonais Toshiba Corp., dont l’activité en matière de mémoire repose sur Flash NAND, ont baissé de 5 % en 2014. Les performances de l’entreprise ont également été affectées par les mauvais résultats de son activité de vente de puces électroniques.
En comparaison, le groupe sud-coréen SK Hynix a connu 26 % d’augmentation de ses revenus globaux liés aux semiconducteurs, le pourcentage de croissance le plus élevé des 10 principaux de puces en 2014. Cette entreprise a su tirer parti des performances élevées de son segment de mémoire DRAM, 80 % de ses revenus en matière de semiconducteurs étant générés par ce produit.
De même, les revenus du fournisseur de mémoire américain Micron Technologie Inc. ont augmenté de 14 %. Ce groupe a tiré 70 % de ces revenus des ventes de mémoire DRAM.
Cette année, les ventes de mémoire Flash NAND devraient connaître le même ralentissement, la croissance des revenus prévus atteignant 7 % seulement. Entretemps, la croissance des revenus liés à la mémoire DRAM devraient baisser, atteignant environ 6 %.
Le ralentissement des deux segments principaux des activités de vente de mémoire s’accompagne d’une décélération des revenus du marché de la mémoire, au niveau mondial. Pour les différents acteurs de ce secteur, les résultats seront probablement plus uniformes en matière de mémoire DRAM et NAND.
D’un point de vue global, les résultats du segment de mémoire DRAM se sont stabilisés par rapport aux années passées. Le marché des PC connaît un certain recul. Auparavant, ce marché dominait la demande en matière de mémoire DRAM ; or, les ventes se sont diversifiées. Parallèlement, le nombre de fournisseurs de mémoire DRAM a baissé. Ainsi, l’offre et la demande se sont plutôt équilibrées dans le segment de la mémoire DRAM.
Le segment de mémoire le plus important (DRAM) s’est maintenu dans les années 2013 et 2014, qui ont toutes deux connu une croissance solide de près de 32 %. En comparaison, le secteur de la mémoire NAND (en deuxième position derrière la mémoire DRAM en termes de ventes) a connu une grande baisse de croissance, atteignant un taux de croissance de 6 % seulement en 2014, contre 36 % en 2013.
Les ventes de composants mémoire NAND en 2014 ont été affectées par un ralentissement du développement des expéditions de smartphones, en parallèle avec un déclin encore plus prononcé des ventes de tablettes. Les performances inégales des segments de mémoire ont affecté de manière différente les fournisseurs de semiconducteurs tirant une grande partie de leurs revenus des ventes de composants mémoire NAND de ceux qui basent leur activité sur la mémoire DRAM.
Les revenus des ventes de semiconducteurs du groupe japonais Toshiba Corp., dont l’activité en matière de mémoire repose sur Flash NAND, ont baissé de 5 % en 2014. Les performances de l’entreprise ont également été affectées par les mauvais résultats de son activité de vente de puces électroniques.
En comparaison, le groupe sud-coréen SK Hynix a connu 26 % d’augmentation de ses revenus globaux liés aux semiconducteurs, le pourcentage de croissance le plus élevé des 10 principaux de puces en 2014. Cette entreprise a su tirer parti des performances élevées de son segment de mémoire DRAM, 80 % de ses revenus en matière de semiconducteurs étant générés par ce produit.
De même, les revenus du fournisseur de mémoire américain Micron Technologie Inc. ont augmenté de 14 %. Ce groupe a tiré 70 % de ces revenus des ventes de mémoire DRAM.
Cette année, les ventes de mémoire Flash NAND devraient connaître le même ralentissement, la croissance des revenus prévus atteignant 7 % seulement. Entretemps, la croissance des revenus liés à la mémoire DRAM devraient baisser, atteignant environ 6 %.
Le ralentissement des deux segments principaux des activités de vente de mémoire s’accompagne d’une décélération des revenus du marché de la mémoire, au niveau mondial. Pour les différents acteurs de ce secteur, les résultats seront probablement plus uniformes en matière de mémoire DRAM et NAND.
D’un point de vue global, les résultats du segment de mémoire DRAM se sont stabilisés par rapport aux années passées. Le marché des PC connaît un certain recul. Auparavant, ce marché dominait la demande en matière de mémoire DRAM ; or, les ventes se sont diversifiées. Parallèlement, le nombre de fournisseurs de mémoire DRAM a baissé. Ainsi, l’offre et la demande se sont plutôt équilibrées dans le segment de la mémoire DRAM.